[]
Amplificateur HF MOSFET 4 x IRFP250

          

                        

Après avoir fait plusieurs essais avec des transistors FET de type IRF510, la puissance maximum obtenue sur charge non rayonnante était de 65W sur 40m avec 60V sur les drains (avec deux IRF510), bien sur avec un signal écreté...

Je me suis ensuite orienté vers un montage un peu plus sérieux décrit par Gérard LAGIER F6EHJ dans les revues Mégahertz N° 234 , N°235, N°236, N°237 et enfin, la base de mon montage: dans le N° 298 avec quatre transsitors IRFP250 à 5,17 euros pièce chez Conrad Electronique.

La description de Gérard est très claire et à la portée de tous, une fois le montage terminé, la puissance était au rendez-vous: environ 900w sur 160m, 700w sur 80m, 600w sur 40m, 280w sur 20m et 30w sur 10m  avec seulement une dizaine de watt en drive et 60V sur les drains, le tout dans un silence surprenant. La tension des drains n'est pas régulée.

                

J'ai claqué quelques transistors lors des essais pour les raisons suivantes:

1/ trop de tension drain:  je recommande de ne pas dépasser 40V à 45V, même si la puissance de sortie augmente considérablement avec 60V ou 65V)

2/ trop de puissance à l'entrée : bien sur la puissance de sortie est fonction de la puissance d'entrée mais cela ne marche pas longtemps et trop de drive dégrade considérablement le signal de sortie, des essais à ce sujet ont été fait chez mon ami et voisin F6AFU, nous avons retenu que la puissance drive ne doit pas dépasser 3w à 4W.

3/ la semelle en cuivre (1cm d'épaisseur!) sur laquelle les transitors sont vissés doit être parfaitement plane et sans la moindre impureté, un film tres fin de graisse silicone est mis soigneusement et uniformément sur toute la surface du composant et de l'isolant. Enfin, le serrage des quatres transistors doit être le même. La moindre impureté et c'est le claquage assuré.

4/ Lors de l'achat des transistors, s'assurer qu'ils sont tous d'une même marque et mieux: d'une même série... un peu comme les tubes apairés. Lors des tous premiers essais trois étaient d'une même marque et le quatrième d'une autre, ce dernier a claqué en poussant un peu la puissance.

5/ Ne pas oublier de branche l'antenne ou la charge non rayonnante en sortie d'ampli car les transistors n'aiment pas du tout un ROS exessif et peuvent dégager tres rapidement. C'est la raison pour laquelle j'ai incorporé un ROS-mètre à mon montage: deux cadrans, un pour la pissance directe et l'autre pour la puissance reffléchie lisibles simultanément. 

On parle de claquage mais pourrait parler d' explosion car le bruit lors d'un claquage est spectaculaire.

                

L'adjonction d'un filtre de bande est primordiale pour la pureté spectrale afin d'éviter les harmoniques.

              

 

               

 

            

 

AMPLIFICATEUR MOSFET 4 X IRFP250 F4EOH
puissance de sortie en watt, lue sur un CN801H et charge 50 ohms
TENSION DRAIN : 41V
BANDES
DRIVE 160 80 40 20 15 10
1W 220 140 80 25 5 2
2W 340 260 140 40 11 3
3,5W 380 330 210 65 20 6
4,5W 420 350 250 90 30 9
7W 470 380 320 120 45 16
les puissances ci-dessus sont presque doublées avec 65v sur les drains!
(je ne le recommande pas…)
TENSION DRAIN : 50V
BANDES
DRIVE 160 80 40 20 15 10
1W 350 250 120 35 6 2,5
2W 450 350 200 55 15 4,5
3,5W 520 420 280 80 28 7
4,5W X 480 320 115 35 11
7W X X 420 160 55 19
9W X X X 180 65 25